IBM и Micron Technology начнут производство нового устройства для хранения данных, которое получило называние Hybrid Micron Memory Cube (HMC). Оно будет построено с использованием полупроводниковых технологий CMOS (complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor) и вертикальных электрических проводников TSV (Тhrough-silicon vias).Благодаря новым технологиям, которые используют в процессе производства чипов HMC, скорость может быть увеличена в 15 раз по сравнению с современными устройствами для хранения данных. Это еще один шаг в переходе к 3D полупроводникам, которые в один прекрасный день приведут к появлению мощных 3D-чипов в бытовой электронике.
"Наша способность использовать TSV для массового производства CMOS, интегрируя другие технологии чипа, очень важна для успешного перехода к производству трехмерных полупроводников", сказал предсавитель IBM.
HMC требует на 70 процентов меньше энергии для передачи данных. IBM представила TSV-технологии в этом году на международной встрече IEEE International Electron Devices Meeting. Кроме того, компания обнародовала несколько результатов исследований, с поиощью которых можна создать гораздо меньшие и более мощные компьютерные чипы.
Эти результаты могли бы обеспечить новые технологические основы для интеграции компьютерных систем, коммуникаций и потребительской электроники.
Комментариев нет:
Отправить комментарий